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Abstract ：
一种具有低熔点特性的热阴极用浸渍材料的制备方法，属于发射材料领域。该制备方法是将烧结助剂引入传统铝酸钡钙盐中，通过机械混合法、水热法或共沉淀法结合固相煅烧获得。制备出的浸渍材料熔点相较传统浸渍材料下降了20‑30℃，且结晶度良好，没有明显杂相的生成，进而为热阴极用铝酸钡钙盐的优化开拓了新思路。
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| GB/T 7714 | 王金淑 , 李梓辰 , 蔡永丰 et al. 一种具有低熔点特性的热阴极用浸渍材料的制备方法 : CN202310748558.7[P]. | 2023-06-22 . |
| MLA | 王金淑 et al. "一种具有低熔点特性的热阴极用浸渍材料的制备方法" : CN202310748558.7. | 2023-06-22 . |
| APA | 王金淑 , 李梓辰 , 蔡永丰 , 杨韵斐 , 周文元 , 刘政 et al. 一种具有低熔点特性的热阴极用浸渍材料的制备方法 : CN202310748558.7. | 2023-06-22 . |
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Abstract ：
一种高温热阴极的制备方法涉及真空电子器件制造技术领域。将偏钨酸铵、高铼酸铵、硝酸镧和硝酸钙分别溶于水后混合为澄清溶液，通过水浴加热使溶质析出，放入烘箱干燥后在氢气气氛下使用两段还原得到阴极前驱体粉，放入烧结炉中进行烧结。阴极在的工作过程中，稀土氧化物可以迅速扩散到阴极表面，从而补充由于高温导致的表面成分蒸发，保证阴极工作过程中稳定的释放电子。贵金属铼化学稳定性优异，表面吸附气体少，耐离子轰击性好，高温机械性能好，蒸发率低，电阻率高，添加后可与阴极基体生成钨铼合金，或者铼包覆钨从而提高阴极整体发射性能。碱土金属加入后可以减少阴极表面活性物质的蒸发，同时降低了表面的烧蚀，从而提高阴极的使用寿命。
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| GB/T 7714 | 王金淑 , 张瑞敏 , 周帆 et al. 一种高温热阴极的制备方法 : CN202210849982.6[P]. | 2022-07-19 . |
| MLA | 王金淑 et al. "一种高温热阴极的制备方法" : CN202210849982.6. | 2022-07-19 . |
| APA | 王金淑 , 张瑞敏 , 周帆 , 杨韵斐 , 高俊妍 , 孙俊浩 et al. 一种高温热阴极的制备方法 : CN202210849982.6. | 2022-07-19 . |
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Abstract ：
一种钨基扩散阴极的增材制造制备方法，属于热阴极电子发射材料的制备技术领域，采用可三维立体成型的激光选区熔化(SLM)技术制备了阴极多孔钨基，并对激光能量与多孔钨基致密度的关系进行了研究。研究结果表明采用激光功率P＝160W，扫描速度V＝1600mm/s，扫描间距D＝0.10mm的制备工艺能够获得相对密度为65.7％的阴极基体，且能够满足阴极后续制备加工的需求，其活性盐浸渍量达13％。对该阴极发射性能进行测试，结果显示该阴极发射性能能够达到传统钡钨阴极材料的发射性能。
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| GB/T 7714 | 王金淑 , 骆凯捷 , 杨韵斐 et al. 一种钨基扩散阴极的增材制造制备方法 : CN202010006398.5[P]. | 2020-01-03 . |
| MLA | 王金淑 et al. "一种钨基扩散阴极的增材制造制备方法" : CN202010006398.5. | 2020-01-03 . |
| APA | 王金淑 , 骆凯捷 , 杨韵斐 , 周帆 , 梁轩铭 , 刘伟 et al. 一种钨基扩散阴极的增材制造制备方法 : CN202010006398.5. | 2020-01-03 . |
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Abstract ：
一种增强ECR等离子体源性能的方法属于低温等离子体源应用领域，本发明的原理在于：现有ECR的共振区中，空间电子的原始来源是少量游离电子，形成等离子体放电时其电子来源于气体电离产生的电子，平衡时其电子密度有限，限制了等离子体参数的提高。本发明在现有ECR等离子体源基础上，采用强制主动向共振区空间注入电子的方法：在上述现有电子的来源基础上，利用热阴极产生大量热电子，并在穿过共振区的电场控制下进入共振空间，从而大大提高了共振区的电子密度。由于共振区的电子密度大大提高，将进一步增强ECR电离效率，提高ECR等离子体源的束流密度等性能指标。
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| GB/T 7714 | 王波 , 张天一 , 吕广宏 . 一种增强ECR等离子体源性能的方法 : CN201910078140.3[P]. | 2019-01-28 . |
| MLA | 王波 et al. "一种增强ECR等离子体源性能的方法" : CN201910078140.3. | 2019-01-28 . |
| APA | 王波 , 张天一 , 吕广宏 . 一种增强ECR等离子体源性能的方法 : CN201910078140.3. | 2019-01-28 . |
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Abstract ：
一种增强ECR等离子体源性能的方法，属于低温等离子体源应用领域。现有ECR的共振区中，空间电子的原始来源是少量游离电子，形成等离子体放电时其电子来源于气体电离产生的电子，平衡时其电子密度有限，限制了等离子体参数的提高。在现有ECR等离子体源基础上，该方法利用热阴极(5)产生大量热电子，并在穿过共振区的电场控制下进入共振空间，从而提高了共振区的电子密度。由于共振区的电子密度提高，将进一步增强ECR电离效率，提高ECR等离子体源的束流密度等性能指标。
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| GB/T 7714 | Wang Bo , Zhang Tianyi , Lu Guanghong . 一种增强ECR等离子体源性能的方法 : WOCN19121583[P]. | 2019-11-28 . |
| MLA | Wang Bo et al. "一种增强ECR等离子体源性能的方法" : WOCN19121583. | 2019-11-28 . |
| APA | Wang Bo , Zhang Tianyi , Lu Guanghong . 一种增强ECR等离子体源性能的方法 : WOCN19121583. | 2019-11-28 . |
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Abstract ：
经过一百多年的发展,对热阴极发射水平的提升和发射机理的研究方兴未艾.研究人员致力于寻找低功函数的发射材料来提升阴极发射能力,并采用多种表面分析方法对热阴极表面进行表征,以解释热电子发射的工作机理.B型扩散阴极由于Ba-O偶极层的存在降低了钨表面的功函数,并增强了电子发射;在B型阴极中引入过渡金属Os,Ir,Re等得到具有较低功函数,较高发射能力的M型阴极;含Sc扩散阴极因具有更低的功函数和更高的发射电流密度引起广泛关注.普遍认为这是由于阴极表面形成的低功函数结构引起的.本文基于密度泛函理论,对B型阴极、M型阴极、钪型阴极表面的微观发射结构进行了建模计算,结果表明Ba原子覆盖度影响阴极表面功函数的变化;过渡金属Os的引入会进一步降低表面功函数;随着Sc的掺杂,表面存在形成半导体属性层的趋势;并对不同表面结构的功函数进行加权平均求解,得到了计算阴极表观功函数的计算方程.
Keyword ：
功函数 密度泛函 热电子发射 阴极
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| GB/T 7714 | 李泽鹏 , 郭根材 , 郝广辉 et al. 热阴极表面微观发射结构的密度泛函研究 [J]. | 真空电子技术 , 2019 , (6) : 72-79 . |
| MLA | 李泽鹏 et al. "热阴极表面微观发射结构的密度泛函研究" . | 真空电子技术 6 (2019) : 72-79 . |
| APA | 李泽鹏 , 郭根材 , 郝广辉 , 于志强 , 张珂 , 邵文生 et al. 热阴极表面微观发射结构的密度泛函研究 . | 真空电子技术 , 2019 , (6) , 72-79 . |
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Abstract ：
一种亚微米结构顶层含钪阴极及其制备方法，属于稀土难熔金属热阴极材料技术领域。采用溶胶凝胶加氢气还原的方法制备亚微米级氧化钪掺杂难熔金属粉末，经过压制微波烧结得到亚微米结构顶层含钪难熔金属基体；对难熔金属粉末进行压制烧结制得难熔金属阴极基体，将阴极基体浸渍阴极发射活性盐并进行退火处理得到基底难熔金属阴极，最后通过焊接的方式如激光焊、钎焊等制备亚微米结构顶层含钪阴极。本发明制得的亚微米结构顶层含钪阴极具有发射电流密度大，发射均匀性好的特点，经充分激活后，在950℃工作温度下，最高发射电流密度可达100A/cm2，发射斜率达1.41以上。
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| GB/T 7714 | 刘伟 , 吴浩 , 王金淑 et al. 一种亚微米结构顶层含钪阴极及其制备方法 : CN201811441984.1[P]. | 2018-11-29 . |
| MLA | 刘伟 et al. "一种亚微米结构顶层含钪阴极及其制备方法" : CN201811441984.1. | 2018-11-29 . |
| APA | 刘伟 , 吴浩 , 王金淑 , 周帆 , 杨韵斐 , 李俊辉 et al. 一种亚微米结构顶层含钪阴极及其制备方法 : CN201811441984.1. | 2018-11-29 . |
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Abstract ：
一种钡钨阴极用发射活性盐及其制备，属于热阴极电子发射材料的制备技术领域。以Ba(NO3)2、Ca(NO3)2·4H20、Al(NO3)3·9H2O和Y(NO3)3·4H2O为原料，以(NH4)2CO3为沉淀剂，通过液相共沉淀法制得盐的前驱粉末，将前驱粉末焙烧得到最终的发射活性物质盐。此钡钨阴极经充分激活后，在1100℃b下，脉冲发射电流密度达到了12A/cm2以上；在1100℃b下，次级发射系数高达4。采用所述方法制备得到的发射活性盐浸渍到钡钨阴极中具有较高的一次电子发射能力以及较大的次级发射系数。有望应用于磁控管等领域。
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| GB/T 7714 | 王金淑 , 潘兆柳 , 周帆 et al. 一种钡钨阴极用发射活性盐及其制备 : CN201811290717.9[P]. | 2018-10-31 . |
| MLA | 王金淑 et al. "一种钡钨阴极用发射活性盐及其制备" : CN201811290717.9. | 2018-10-31 . |
| APA | 王金淑 , 潘兆柳 , 周帆 , 杨韵斐 , 李俊辉 , 吴浩 . 一种钡钨阴极用发射活性盐及其制备 : CN201811290717.9. | 2018-10-31 . |
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Abstract ：
一种热阴极用铝酸盐电子发射物质的简易制备方法，属于热阴极电子发射材料的制备技术领域，以Ba(NO3)2、Ca(NO3)2·4H20和Al(NO3)3·9H2O为原料，以EDTA为络合剂，通过溶胶‑凝胶法制得盐的前驱粉末，将前驱粉末焙烧得到最终的铝酸盐，阴极经充分激活后在950℃b下，脉冲发射电流密度可以达到100A/cm2以上，发射斜率1.4以上。采用所述方法制备得到的铝酸盐具有制备工艺简单、成分均匀、物相单一、熔点低、发射性能好等优点。有望应用于微波真空电子器件等领域。
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| GB/T 7714 | 王金淑 , 潘兆柳 , 刘伟 et al. 一种热阴极用铝酸盐电子发射物质的简易制备方法 : CN201810307397.7[P]. | 2018-04-08 . |
| MLA | 王金淑 et al. "一种热阴极用铝酸盐电子发射物质的简易制备方法" : CN201810307397.7. | 2018-04-08 . |
| APA | 王金淑 , 潘兆柳 , 刘伟 , 周帆 , 杨韵斐 , 李俊辉 et al. 一种热阴极用铝酸盐电子发射物质的简易制备方法 : CN201810307397.7. | 2018-04-08 . |
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Abstract ：
一种钡钨阴极用发射活性盐及其制备，属于热阴极电子发射材料的制备技术领域。以Ba(NO3)2、Ca(NO3)2·4H20、Al(NO3)3·9H2O和Y(NO3)3·4H2O为原料，以(NH4)2CO3为沉淀剂，通过液相共沉淀法制得盐的前驱粉末，将前驱粉末焙烧得到最终的发射活性物质盐。此钡钨阴极经充分激活后，在1100℃b下，脉冲发射电流密度达到了12A/cm2以上；在1100℃b下，次级发射系数高达4。采用所述方法制备得到的发射活性盐浸渍到钡钨阴极中具有较高的一次电子发射能力以及较大的次级发射系数。有望应用于磁控管等领域。
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| GB/T 7714 | 王金淑 , 潘兆柳 , 周帆 et al. 一种钡钨阴极用发射活性盐及其制备 : CN201811290717.9[P]. | 2018-10-31 . |
| MLA | 王金淑 et al. "一种钡钨阴极用发射活性盐及其制备" : CN201811290717.9. | 2018-10-31 . |
| APA | 王金淑 , 潘兆柳 , 周帆 , 杨韵斐 , 李俊辉 , 吴浩 . 一种钡钨阴极用发射活性盐及其制备 : CN201811290717.9. | 2018-10-31 . |
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