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Abstract ：
相较于Si器件,SiC MOSFET近界面氧化物陷阱区域更广,界面态陷阱密度高出2个数量级,大量陷阱不断俘获或释放电荷,导致阈值电压(Vth)随时间波动较大,因而Vth的准确重复测量成为难题.标准中阈值电压测量采用预处理的方法,保证每次测量时陷阱电荷状态的一致性,但标准中未考虑漏源电压影响预处理填充后的陷阱状态,导致阈值电压测试误差.针对该问题,首先通过测量不同漏源电压脉冲影响下的转移曲线,显示不同源漏电压对阈值电压的影响;然后,基于瞬态电流法分析了漏源电压对陷阱电荷状态的影响;进而,分析了漏源电压影响陷阱的机理;最后对比了不同漏源电压对阈值电压测量的影响.实验表明,漏源电压影响栅漏间电场正负,进而影响陷阱填充或释放电荷,导致阈值电压漂移.测量阈值电压时使用较小漏源电压可提高测量准确性,减小可靠性实验由测试因素造成的误差.
Keyword ：
阈值电压 栅极结构 重复性 碳化硅MOSFET
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| GB/T 7714 | 姚博均 , 郭春生 , 崔绍雄 et al. 漏源电压对SiC MOSFET阈值电压准确测量影响的研究 [J]. | 电源学报 , 2024 , 22 (3) : 258-263 . |
| MLA | 姚博均 et al. "漏源电压对SiC MOSFET阈值电压准确测量影响的研究" . | 电源学报 22 . 3 (2024) : 258-263 . |
| APA | 姚博均 , 郭春生 , 崔绍雄 , 李嘉芃 , 张亚民 . 漏源电压对SiC MOSFET阈值电压准确测量影响的研究 . | 电源学报 , 2024 , 22 (3) , 258-263 . |
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Abstract ：
随着功率半导体器件的服役环境越来越恶劣,以碳化硅(SiC)为代表的第三代半导体凭借其优异的高温性能成为行业应用主流.但目前尚缺乏与之相匹配的低成本、耐高温的互连材料,成为了制约行业发展的瓶颈.Cu-Sn全金属间化合物(IMC)因其成本低、导电性好且满足低温连接、高温服役的特点被认为是理想的SiC芯片互连材料之一.针对功率半导体器件封装,对国内外近年来Cu-Sn全IMC接头的制备方法和可靠性进行了分析和综述,并讨论了目前亟待解决的问题和未来的发展趋势.
Keyword ：
全金属间化合物 可靠性 制备工艺 功率器件封装
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| GB/T 7714 | 胡虎安 , 贾强 , 王乙舒 et al. 功率器件封装用Cu-Sn全IMC接头制备及其可靠性研究进展 [J]. | 电源学报 , 2024 , 22 (3) : 62-71 . |
| MLA | 胡虎安 et al. "功率器件封装用Cu-Sn全IMC接头制备及其可靠性研究进展" . | 电源学报 22 . 3 (2024) : 62-71 . |
| APA | 胡虎安 , 贾强 , 王乙舒 , 籍晓亮 , 邹贵生 , 郭福 . 功率器件封装用Cu-Sn全IMC接头制备及其可靠性研究进展 . | 电源学报 , 2024 , 22 (3) , 62-71 . |
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Abstract ：
本发明公开了一种影响SiCMOSFET阈值电压不稳定的陷阱表征方法，该方法可检测影响SiCMOSFET阈值电压漂移陷阱的时间常数，从而锁定该陷阱。包括：(1)选取测试条件，排除碳化硅材料陷阱的影响，获取IDS随时间的瞬态变化曲线；(2)利用贝叶斯反卷积的方法，分析IDS随时间的瞬态变化曲线，获取不同陷阱的时间常数以及定性代表陷阱量的幅值信息；(3)根据陷阱的时间常数，给定不同脉宽的填充栅压，测试阈值电压漂移，并与陷阱峰幅值变化对应；(4)给定不同间隔时间的选取标准，将阈值电压漂移与陷阱峰幅值变化进行对应，判断不同时间常数的陷阱对阈值电压漂移的影响。利用该方法，实现对影响SiCMOSFET阈值电压漂移的陷阱的无损表征。
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| GB/T 7714 | 郭春生 , 崔绍雄 , 朱慧 et al. 一种影响SiC MOSFET阈值电压不稳定的陷阱表征方法 : CN202310743955.5[P]. | 2023-06-24 . |
| MLA | 郭春生 et al. "一种影响SiC MOSFET阈值电压不稳定的陷阱表征方法" : CN202310743955.5. | 2023-06-24 . |
| APA | 郭春生 , 崔绍雄 , 朱慧 , 张亚民 , 张蒙 , 冯士维 . 一种影响SiC MOSFET阈值电压不稳定的陷阱表征方法 : CN202310743955.5. | 2023-06-24 . |
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Abstract ：
一种碳化硅陶瓷与镍基高温合金钎焊方法，属于焊接领域。采用不同的层状结构材料，将片状高熵合金钎料、纯Ni片、片状CoCrNi中熵合金用粘结剂粘结在碳化硅陶瓷和镍基高温合金中间，最终形成的顺序依次为：镍基高温合金、片状高熵合金钎料、纯Ni片、片状高熵合金钎料、片状CoCrNi中熵合金、片状高熵合金钎料、碳化硅陶瓷；然后焊接。可以在高温下实现SiC与镍基高温合金可靠连接。
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| GB/T 7714 | 李红 , 李泊瑾 , 栗卓新 . 一种碳化硅陶瓷与镍基高温合金钎焊方法 : CN202310591629.7[P]. | 2023-05-23 . |
| MLA | 李红 et al. "一种碳化硅陶瓷与镍基高温合金钎焊方法" : CN202310591629.7. | 2023-05-23 . |
| APA | 李红 , 李泊瑾 , 栗卓新 . 一种碳化硅陶瓷与镍基高温合金钎焊方法 : CN202310591629.7. | 2023-05-23 . |
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Abstract ：
本发明公开了一种异质碳化硅衬底上氮化镓全垂直功率二极管及其制备方法，通过预通三甲基铝方法形成超薄AlGaN缓冲层，代替较厚的绝缘缓冲层，在异质SiC衬底上实现可垂直导电的GaN基外延结构；在此基础上，通过优化衬底侧欧姆接触和GaN侧阳极金属制备工艺，以简单工艺实现GaN全垂直功率二极管，避免因深刻蚀、衬底移除等复杂工艺导致的漏电增加或提前击穿问题。所制备二极管具有整流特性好、比导通电阻低和温度稳定性好等优点。本发明基于异质SiC衬底上可垂直导电外延结构，实现全垂直GaN功率二极管，可大幅简化制备工艺并降低成本。
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| GB/T 7714 | 冯玉霞 , 韦佳 , 孙宇廷 et al. 一种异质SiC衬底上GaN全垂直功率二极管及其制备方法 : CN202310197269.2[P]. | 2023-03-03 . |
| MLA | 冯玉霞 et al. "一种异质SiC衬底上GaN全垂直功率二极管及其制备方法" : CN202310197269.2. | 2023-03-03 . |
| APA | 冯玉霞 , 韦佳 , 孙宇廷 , 杨宇飞 , 梅文康 . 一种异质SiC衬底上GaN全垂直功率二极管及其制备方法 : CN202310197269.2. | 2023-03-03 . |
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Abstract ：
核磁共振测井的各模块挂在同一链路,独立模块的工作状态不仅影响着自身功能,还会影响到链路上前后模块功能.基于此,针对发射模块待机噪声问题需要进行优化.通过逐级分析和对比系统前后噪声水平,得出影响发射模块待机噪声的主要因素是驱动碳化硅金属(SiC)-氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)的DC/DC电源模块的次级输出纹波,该纹波会通过SiC MOSFET、二极管、无源器件等寄生参数传导,耦合到天线端.此处设计了一个无源滤波电路,以降低电源模块次级输出的纹波.仿真和实验数据表明,使用该滤波电路后,发射模块的待机噪声得到了有效抑制.
Keyword ：
核磁共振测井 噪声抑制 滤波电路
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| GB/T 7714 | 张彬 , 王旭红 , 张一鸣 et al. 核磁共振测井发射模块的噪声抑制 [J]. | 电力电子技术 , 2023 , 57 (7) : 52-55 . |
| MLA | 张彬 et al. "核磁共振测井发射模块的噪声抑制" . | 电力电子技术 57 . 7 (2023) : 52-55 . |
| APA | 张彬 , 王旭红 , 张一鸣 , 郝思睿 . 核磁共振测井发射模块的噪声抑制 . | 电力电子技术 , 2023 , 57 (7) , 52-55 . |
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Abstract ：
SiC MOSFET(金属-氧化物半导体场效应晶体管)关键参数——结型场效应晶体管(JFET)区宽度一直被认为是SiC MOSFET单粒子效应的主要影响因素.针对这一影响因素,以同一结构不同JFET区宽度的1.2 kV SiC MOSFET器件为对象进行单粒子效应实验,探究JFET区宽度对器件单粒子烧毁阈值电压、漏电退化阈值电压以及负栅压条件下器件性能的影响.结果表明:随着JFET区宽度的减小,漏电退化阈值电压增大;减小器件JFET区宽度可有效改善器件的抗单粒子效应能力;在负栅压条件下对器件单粒子效应也会有此效果.采用Sentaurus TCAD进行模拟仿真,模拟结果证实,JFET区宽度以及负栅压的变化会影响氧化层下JFET区内空穴的积累,随之影响氧化层电场强度,从而影响器件单粒子漏电退化,与实验结果相符.以上结果为SiC MOSFET抗单粒子效应加固提供了理论基础.
Keyword ：
单粒子效应 碳化硅 抗辐照 漏电退化
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| GB/T 7714 | 许明康 , 贾云鹏 , 周新田 et al. JFET区宽度对SiC MOSFET单粒子效应的影响 [J]. | 原子能科学技术 , 2023 , 57 (12) : 2295-2303 . |
| MLA | 许明康 et al. "JFET区宽度对SiC MOSFET单粒子效应的影响" . | 原子能科学技术 57 . 12 (2023) : 2295-2303 . |
| APA | 许明康 , 贾云鹏 , 周新田 , 胡冬青 , 吴郁 , 唐蕴 et al. JFET区宽度对SiC MOSFET单粒子效应的影响 . | 原子能科学技术 , 2023 , 57 (12) , 2295-2303 . |
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Abstract ：
本发明公开了开关过程中碳化硅MOSFET芯片瞬态温度实时测量方法，以栅极电压、源漏电压、源漏电流和温度作为维度，创建四维数据库。本发明使用可以更加精确表征芯片结温实时变化的温敏参数：栅极电压、源漏电压、源漏电流。测量芯片在不同温度下上述的温敏参数，测量结束后，通过对测量数据插值、拟合，建立栅极电压‑源漏电压‑源漏电流‑温度四维校温数据库。在测量碳化硅MOSFET芯片结温时，可通过测量芯片的栅极电压、源漏电压、源漏电流，并使用此建立好的四维校温数据库，反推出芯片温度。
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| GB/T 7714 | 郭春生 , 徐文轩 , 王跃 . 开关过程中碳化硅MOSFET芯片瞬态温度实时测量方法 : CN202310106808.7[P]. | 2023-02-13 . |
| MLA | 郭春生 et al. "开关过程中碳化硅MOSFET芯片瞬态温度实时测量方法" : CN202310106808.7. | 2023-02-13 . |
| APA | 郭春生 , 徐文轩 , 王跃 . 开关过程中碳化硅MOSFET芯片瞬态温度实时测量方法 : CN202310106808.7. | 2023-02-13 . |
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Abstract ：
随着半导体功率模块的性能不断突破,使得以其为核心部件的驱动电机、逆变器等功率电子系统在航空航天、电动汽车、智能制造等领域中得到了广泛应用.针对绝缘栅双极晶体管模块和碳化硅功率模块装机应用前,对热冲击应力的严酷要求,基于自主研发搭建的测量测试平台,通过结构函数方法纵向热阻构成分析技术,对绝缘栅双极晶体管模块的功率循环可靠性进行考核分析,并对碳化硅功率模块的短路鲁棒性和冲击前后的热阻特性进行研究,以期推动大功率绝缘栅双极晶体管和碳化硅功率模块的可靠性提高和国产化进程.
Keyword ：
可靠性 功率循环 短路鲁棒性 功率半导体模块 热阻分析
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| GB/T 7714 | 白昆 , 赵宝忠 , 冯士维 et al. 基于热阻构成分析的功率模块功率循环及短路特性研究 [J]. | 微纳电子与智能制造 , 2023 , 5 (2) : 46-51 . |
| MLA | 白昆 et al. "基于热阻构成分析的功率模块功率循环及短路特性研究" . | 微纳电子与智能制造 5 . 2 (2023) : 46-51 . |
| APA | 白昆 , 赵宝忠 , 冯士维 , 鲁晓庄 , 潘世杰 , 张博阳 . 基于热阻构成分析的功率模块功率循环及短路特性研究 . | 微纳电子与智能制造 , 2023 , 5 (2) , 46-51 . |
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Abstract ：
本发明公开了一种具有栅介质保护区的碳化硅平面型IGBT，包括P+集电极、位于P+集电极背面的金属集电极和位于P+集电极正面的N型缓冲层；N型缓冲层正面是N－漂移区；N－漂移区正面中间注入一系列重掺杂P+岛、两侧分别具有一个P型基区；两个相邻P型基区之间是N型电荷存储JFET区；两个N型重掺杂N+接触区侧部分别具有一个P型重掺杂P+接触区；金属化发射极位于器件顶层，连接器件中的所有P型重掺杂P+接触区和N型重掺杂N+接触区；金属化发射极和金属化栅极通过绝缘层场氧化层被隔离开；金属化栅极下方是栅介质；本发明所提出的栅介质屏蔽区，可使得在增大相邻p型基区间距时，继续保持较低的关态栅介质电场。
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| GB/T 7714 | 张蒙 , 李腾 , 黄艺 et al. 一种具有栅介质保护区的新型碳化硅平面型IGBT : CN202211263370.5[P]. | 2022-10-15 . |
| MLA | 张蒙 et al. "一种具有栅介质保护区的新型碳化硅平面型IGBT" : CN202211263370.5. | 2022-10-15 . |
| APA | 张蒙 , 李腾 , 黄艺 , 张亚民 , 孟宪伟 , 温茜 et al. 一种具有栅介质保护区的新型碳化硅平面型IGBT : CN202211263370.5. | 2022-10-15 . |
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