Abstract ：

针对微显示对高外量子效率、低工作电流和稳定光谱波长的红光LED的需求,提出了一种将共振腔发光二极管与AlAs侧向氧化技术相结合的Micro-RCLED.该器件利用共振腔改变有源区自发辐射场的空间分布,将更多的光分布在光提取角之内以提高光提取效率,而且共振腔还有利于输出光谱波长的稳定.AlAs氧化孔对电流的横向限制既有利于降低侧壁的Shockley-Read-Hall非辐射复合,又可减少漏电,从而提高辐射复合效率.另外,P电极出光孔的直径大于AlAs氧化电流注入孔的直径,因此,金属P电极对出射光的吸收可以有效避免.同时,制作了3个并联的655 nm Micro-RCLED,每个单元的出光孔径为17 μm.IdV/dI-I曲线的拟合结果表明,120 Ω的串联电阻器件在1 mA时的输出光功率为0.21 mW,外部量子效率大于10％,并且可以在低于1μA的注入电流下点亮单个单元.另外,当工作电流密度变化12.5倍时,峰值波长仅增加1.5 nm,光谱的半峰全宽仅增加0.33 nm.这使得RCLED作为单色光源在Micro-LED中的应用成为可能.

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发光 微型发光二极管 红光发光二极管 AlAs横向氧化 物理光学 谐振腔

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　　红光发光二极管(Light Emitting Diodes,LED)发展至今外延技术已经十分成熟,广泛应用于照明、显示屏等诸多领域。然而目前的红光LED 采用的是垂直结构的设计,P电极下方的电流密度最大,电极不透光,则P 电极会对有源区发光产生阻挡和吸收现象,这不仅影响了LED 的出光效率,还会对LED 的可靠性造成影响。

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电极 吸收现象 红光发光二极管 Emitting Diodes LED AlGaInP 质子注入 绝缘型

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本文利用光子晶体的光栅衍射原理,在发光二极管（Iight emitting diode,LED）上制作了光子晶体结构以提高出光效率.在红光LED器件中引入了SiO_2层的介质光子晶体结构,并进行了相应的理论分析和实验验证.结果表明：介质光子晶体结构对于提高红光LED器件的光提取效率有显著效果,引入介质光子晶体后,红光LED的光通量比普通LED增加了26%.

Keyword ：

LED 介质光子晶体 光通量

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本发明提供了一种负反馈纵向集成无荧光粉白光发光二极管，属于半导体光电子技术领域，包括依次纵向层叠的衬底101、金属键合层102、红光发光二极管103、第一透明的正温度系数电阻104，绿光发光二极管105、第二透明的正温度系数电阻106和蓝光发光二极管107，本发明提供的负反馈纵向集成无荧光粉白光发光二极管，在有效降低控制电路复杂度的同时，保证二极管的使用寿命。

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本发明提供了一种负反馈纵向集成无荧光粉白光发光二极管，属于半导体光电子技术领域，包括依次纵向层叠的衬底101、金属键合层102、红光发光二极管103、第一透明的正温度系数电阻104，绿光发光二极管105、第二透明的正温度系数电阻106和蓝光发光二极管107，本发明提供的负反馈纵向集成无荧光粉白光发光二极管，在有效降低控制电路复杂度的同时，保证二极管的使用寿命。

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利用低压金属有机物化学气相沉积(LP-MOCVD),对红光发光二极管(LED)的窗口层掺杂进行研究.分别在Ⅴ/Ⅲ比为13、26和52的情况下生长GaP材料,结果发现,Ⅴ/Ⅲ比影响Mg的掺杂浓度和载流子迁移率.在上述Ⅴ/Ⅲ比下生长的GaP,外延生长出红光LED外延片并制备器件,结果发现,生长GaP层时,Ⅴ/Ⅲ比为52的红光LED与Ⅴ/Ⅲ比为13相比,输出光功率提高了23.7%,轴向光强提高了20.4%.

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GaP 红光发光二极管(LED) Ⅴ/Ⅳ比 会属有机物化学气相沉积(MOCVD)

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给出了用蒙特卡罗射线追踪法模拟发光二极管(LED)光提取效率的过程,并对表面织构LED的光提取效率进行了模拟分析,得到存在一组优化的表面织构参数,可使LED的光提取效率提高36%.通过湿法腐蚀和干法刻蚀相结合工艺,制备了表面织构的红光LED,器件的轴向光强提高了20.6%.理论和实验结果,表明表面织构技术是提高LED光提取效率的一个主要途径.

Keyword ：

光提取效率 发光二极管 射线追踪法 表面织构

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对用于提高AlGaInP红光发光二极管(LED)出光效率的分布布拉格反射镜(DBR)和增透膜进行了分析,用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)生长了包含DBR和增透膜的LED,在20 mA注入电流下,LED的峰值波长为623 nm,光强达到200 mcd,输出光功率为2.14 mW.与常规的LED相比,光强和输出光功率有很大的提高.

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分布布拉格反射镜(DBR) 增透膜 红光发光二极管(LED) 金属有机物化学气相沉积(MOCVD)

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设计并用金属有机物化学气相沉积方法生长了双有源区AlGaInP发光二极管,该发光二极管的两个AlGaInP有源区用高掺杂的反偏隧道结连接.双有源区发光二极管在20 mA注入电流下,主波长为623 nm,峰值波长为633 nm,电压为4.16 V,光强为163 mcd.

Keyword ：

红光发光二极管 金属有机物化学气相沉积 隧道结

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对用于提高AlGaInP红光发光二极管出光效率的传统DBR进行了分析,用MOCVD生长了包含对垂直入射光反射的DBR和对斜入射光反射的DBR复合在一起的红光LED,在20 mA注入电流下,LED的峰值波长为630 nm,轴向光强达到137 mcd,输出光功率为2.32 mW.与常规的LED相比,光强和输出光功率有很大的提高.

Keyword ：

红光发光二极管 金属有机物化学气相沉积 分布布拉格反射镜

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