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提出了一种高Q值、高线性度SiGe HBT有源电感.基于NPN SiGe HBT共发射极-共基极-共集电极结构,引入有源负阻网络,以提高有源电感的Q值.采用前馈电流源,提高了有源电感的线性度.基于0.35 μm SiGe BiCMOS工艺对有源电感进行了仿真验证,并分析了该有源电感的电感值、Q值以及线性度.该有源电感适用于对Q值、线性度要求较高的射频电路.
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微电子学
ISSN： 1004-3365
Year： 2018
Issue： 3
Volume： 48
Page： 344-347
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