通过金属有机化学气相淀积(MOCVD)和半导体后工艺技术制备了852　nm半导体激光器,它在室温下的阈值电流为57.5　mA,输出的光谱线宽小于1　nm.测试分析了激光器的输出光功率、阈值电流、电压、输出中心波长随温度的变化.测试结果表明,当温度变化范围为293～328　K时,阈值电流的变化速率为0.447　mA/K,特征温度T0为142.25　K,输出的光功率变化率为0.63　mW/K.通过计算求得理想因子n为2.11,激光器热阻为77.7　K/W,中心波长漂移速率是0.249　29　nm/K,实验得出的中心波长漂移速率与理论计算结果相符.实验结果表明,该半导体器件在293～303　K的温度范围内,各特性参数能够保持相对良好的状态.器件如果工作在高温环境,需要添加控温设备以保证器件在良好状态下运行.