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高质量的MOCVD外延材料是研制高性能半导体光电器件的基础.通过制作简单的量子阱结构,利用光荧光系统进行快速表征,得到Ⅴ/Ⅲ比不但会影响PL的强度,还会影响片内均匀性的结论.根据标准偏差统计法,确定了InGaAs量子阱外延的最佳Ⅴ/Ⅲ比为35.基于优化的外延参数,制备了波长为980 nm的半导体激光器,在15A脉冲电流下,腔面未镀膜时器件的平均输出功率为9.6W,中心波长为977.2 nm.研究结果为半导体激光器的研制提供了一种快速有效的方法.
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半导体光电
ISSN： 1001-5868
Year： 2017
Issue： 5
Volume： 38
Page： 685-688
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