高压　LED因其自身突出的特点在照明领域有着潜在的应用优势,但作为一种新型功率　LED,其光电热特性仍需深入研究。该实验对6和9　V　GaN基高压　LED芯片进行了相同结构和工艺条件的封装,对封装样品进行了10~70℃的变温度光谱测试,并进行了从控温平台温度到器件结温的转换。为保证器件的电流密度相同,6和9　V样品光谱测试的工作电流分别设定为150和100　mA。结果显示,结温升高会导致蓝光峰值波长红移、波长半高宽增大、光效下降和显色指数上升等现象。在相同平台温度和注入功率下,9　V样品的结温低于6V样品；随着温度的升高,9V样品波长半高宽的增加量比6V样品少1.3nm,光效下降量少1.13　lm·W-1,显色指数上升量少0.28。以上表明,与低压　LED相比,高压　LED有着更低的工作结温和更小的温度影响。原因在于,相同环境温度下高压　LED具有更好的电流扩展性和更少的发热量。此特性在高压　LED的研究、发展与应用等方面具有参考价值。此外,峰值波长仍与结温有着较好的线性度,在光谱设备精度较高的情况下可继续作为结温的敏感参数。