Indexed by：
Abstract：
采用金属有机化合物气相外延方法制备了不同SiH4流量下重掺杂n型GaN材料,研究发现在SiH4流量为20 cm3/min时样品获得较高的电子浓度,达到6.4×1019 cm-3,同时材料的结晶质量较好.光荧光测试发现重掺杂使GaN材料的杂质能带进入导带形成带尾态,使带边峰变得不尖锐,并且发现SiH4流量以及材料的刃位错密度与黄光带发光有关.采用Delta掺杂方式生长的重掺杂样品,样品表面粗糙度降低,晶体质量明显改善,但黄光带发光强度增强.缺陷选择性腐蚀研究发现Delta掺杂方式主要通过降低螺位错密度来改善晶体的质量.
Keyword：
Reprint Author's Address：
Email：
Source ：
半导体光电
ISSN： 1001-5868
Year： 2016
Issue： 4
Volume： 37
Page： 499-504
Cited Count：
SCOPUS Cited Count： 1
ESI Highly Cited Papers on the List： 0 Unfold All
WanFang Cited Count： -1
Chinese Cited Count：
30 Days PV： 2
Affiliated Colleges：
