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于宁 (于宁.) | 王红航 (王红航.) | 刘飞飞 (刘飞飞.) | 杜志娟 (杜志娟.) | 王岳华 (王岳华.) | 宋会会 (宋会会.) | 朱彦旭 (朱彦旭.) | 孙捷 (孙捷.)

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研究了多层Ti/Al结构电极对GaN/AlGaN HEMT欧姆接触特性及表面形态的影响.采用传输线模型对各结构电极的比接触电阻率进行了测量,采用扫描电子显微镜对电极表面形态进行扫描.实验结果显示,在同样的退火条件下,随着Ti/Al层数的增加,比接触电阻率逐渐减小,表面形态趋于光滑;降低Ti/Al层的厚度会加剧Au向内扩散而增加比接触电阻率,但能稍微改善表面形态;Ti比例过高会影响TiN的形成导致比接触电阻率增加,但能明显改善表面形态.

Keyword:

退火 比接触电阻率 欧姆接触 高电子迁移率晶体管

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  • [ 1 ] [于宁]北京工业大学
  • [ 2 ] [王红航]电子科技大学
  • [ 3 ] [刘飞飞]北京工业大学
  • [ 4 ] [杜志娟]北京工业大学
  • [ 5 ] [王岳华]北京工业大学
  • [ 6 ] [宋会会]北京工业大学
  • [ 7 ] [朱彦旭]北京工业大学
  • [ 8 ] [孙捷]北京工业大学

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发光学报

ISSN: 1000-7032

Year: 2016

Issue: 2

Volume: 37

Page: 219-223

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