利用金属有机物化学气相沉积技术在蓝宝石衬底上制备了掺Fe高阻GaN以及AlGaN/GaN　高电子迁移率晶体管(HEMT)结构.对Cp2Fe流量不同的高阻GaN特性进行了研究.研究结果表明,　Fe杂质在GaN材料中引入的Fe3+/2+深受主能级能够补偿背景载流子浓度从而实现高阻,　Fe　杂质在GaN　材料中引入更多起受主作用的刃位错,也在一定程度上补偿了背景载流子浓度.在一定范围内,　GaN　材料方块电阻随Cp2Fe流量增加而增加,　Cp2Fe流量为100　sccm　(1　sccm=1　mL/min)时,方块电阻增加不再明显；另外增加Cp2Fe流量也会导致材料质量下降,表面更加粗糙.因此,优选Cp2Fe流量为75　sccm,相应方块电阻高达1×1010?/？,外延了不同掺Fe层厚度的AlGaN/GaN　HEMT结构,并制备成器件.　HEMT　器件均具有良好的夹断以及栅控特性,并且增加掺Fe层厚度使得HEMT器件的击穿电压提高了39.3%,同时对器件的转移特性影响较小。