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采用脉冲激光沉积(PLD)方法在湿法腐蚀后的Si(100)衬底上制备了Y2O3∶ Bi,Yb减反转光薄膜.所制备的薄膜在300～800 nm波长范围内的平均反射率最低至5.28％,同时在晶体硅太阳能电池最佳响应范围内的980 nm附近表现出了良好的下转光特性.与非减反下转光薄膜相比较,具有减反结构的Y2O3∶Bi,Yb下转换薄膜的转光强度有了明显的提升.随着衬底腐蚀时间在一定范围内的延长,Bi3和Yb3的发射峰强度线性增大.该减反转光薄膜为太阳能电池效率提高提供了一种简单可行的方法.
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发光学报
ISSN： 1000-7032
Year： 2015
Issue： 1
Volume： 36
Page： 27-32
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