分别采用不同的熔炼、退火工艺,结合放电等离子烧结方法制备了块状多晶　In4Se3热电材料。研究了熔炼时间和退火时间对材料物相、成分、显微结构及热电性能的影响。熔炼后铸锭中存在In及InSe杂相,　Se缺失量随熔炼时间的延长而增加,使得样品载流子浓度增大,电导率有所提高,熔炼48　h样品ZT值相对较高。在确定熔炼工艺的基础上,进行不同时间的退火处理后,　InSe相消失,显微结构中分布有较大尺寸的台阶状结构,这种台阶状结构有利于降低热导率,而对电导率无明显影响。实验结果表明：一定程度延长熔炼时间、退火时间对提高样品的热电性能有积极作用,其中熔炼48　h再退火96　h后的样品ZT值最高,在702　K达到0.83,比文献值提高约32%。