单晶硅是制造硅太阳能电池的主要材料之一，但其中的各类缺陷对其光电转换效率影响颇大。针对这些问题，采用空气耦合Lamb波检测方法对单晶硅产品的质量进行快速评价。理论计算Lamb波在各向异性的单晶硅中的频散曲线，得到Lamb波在不同方向上的理论速度分布；利用空气耦合超声传感器在(001)晶面的单晶硅中激励出A0模态的Lamb波，研究200　kHz频率下Lamb波的入射角度与信号幅值的关系，确定最优入射角度为13°。采用相位谱的方法计算A0模态的相速度，试验结果与理论值吻合良好。利用波包幅值法和相关函数法分别计算　A0模态的群速度，结果说明相关函数法测得的群速度与理论值误差更小；采用扫描方法对单晶硅进行缺陷检测，通过计算接收信号与参考信号的相关系数，确定出缺陷的位置和大小。