Indexed by：
Abstract：
理想因子能够反映电流、载流子泄漏以及缺陷导致的非辐射复合等现象。针对目前报道的GaN基发光二极管的理想因子的问题,通过对高压发光二极管I-V 曲线的拟合计算出了理想因子n的数值,分别讨论了12 V,19 V,51 V和80 V GaN基高压发光二极管的理想因子与其结构中串联晶粒个数的关系,分析了理想因子大小与光谱半高宽(FWHM)的变化关系。另外,还对电流拥挤效应对理想因子的影响进行了分析。结果表明：高压发光二极管理想因子n随串联晶粒个数的增加几乎为线性规律增加,高压发光二极管理想因子n是由其串联单元理想因子之和构成的。这对GaN基高压发光二极管理想因子的研究具有参考价值。
Keyword：
Reprint Author's Address：
Email：
Source ：
物理学报
ISSN： 1000-3290
Year： 2015
Issue： 1
Page： 017303-1-017303-5
1 . 0 0 0
JCR@2022
ESI Discipline： PHYSICS;
ESI HC Threshold：190
JCR Journal Grade：4
Cited Count：
SCOPUS Cited Count：
ESI Highly Cited Papers on the List： 0 Unfold All
WanFang Cited Count： 1
Chinese Cited Count：
30 Days PV： 0
Affiliated Colleges：
