采用密度泛函理论平面波超软赝势广义梯度近似方法，系统研究了　Mg　置换的　ZnO基氧化物的晶格结构和电子结构，在此基础上分析了置换氧化物的电学性能。计算分析结果表明：Mg　置换后的　ZnO　基氧化物其晶格减小，仍为直接带隙材料，带宽1．2　eV。Mg　掺杂ZnO　体系主要在－40　eV　能量附近产生新的能带。费米能级附近的能带主要由　Mg　p、Zn　p、Zn　d、O　p、Mg　s、Zn　s、O　s　电子形成，且这些能带之间存在着强相互作用。Zn　p、Zn　d、O　p　电子形成的能级上的载流子在外场作用下首先迁移至　Mg　s　电子形成的能级，形成电输运过程。置换体系费米能级附近的载流子有效质量、态密度和载流子浓度都大大提高；Mg　置换有利于ZnO　材料体系电导率的提高。