为了改善器件的高压大电流处理能力，利用SILVACO　TCAD建立了应变Si/SiGe　HBT模型，分析了虚拟衬底设计对电流增益的影响.虚拟衬底可在保持基区-集电区界面应力不变的情况下实现基区Ge组分的高掺杂，进而增大电流增益.但器件的击穿电压仍然较低，不利于输出功率的提高和系统信噪比的改善.考虑到集电区设计对电流增益影响不大但与器件击穿电压密切相关，在采用虚拟衬底结构的同时，对器件的集电区进行选择性注入设计.该设计可在集电区引入横向电场，进而提高击穿电压.结果表明：与传统的SiGe　HBT相比，新器件的电流增益和击穿电压均得到显著改善，其优值β·VCEO改善高达14.2倍，有效拓展了微波功率SiGe　HBT的高压大电流工作范围.