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传统施密特型压控振荡器存在输入电压下限值较高、最高振荡频率较低等缺点.针对这两个问题,文中介绍了一种具有新型充放电电路结构的施密特型压控振荡器,并在0.18 μm工艺下对电路进行了仿真.结果表明,相对于传统施密特型压控振荡器,新型振荡器输入电压下限值有所下降,且最高振荡频率也有明显提升.
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电子科技
ISSN： 1007-7820
Year： 2014
Issue： 4
Volume： 27
Page： 58-59,63
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