对GaN基绿光高压LED分别施加-500、-1　000、-2　000、-3　000、-4　000、-5　000和-6　000　V的反向人体模式静电打击,每次静电打击后,测量样品的Ⅰ-Ⅴ特性曲线及光通量等参量,研究静电打击对GaN基高压LED器件性能的影响.结果表明:当样品经过-500,-1　000、-2　000、-3　000和-4　000　V的静电打击后,由于LED器件内部产生了缺陷,发生了软击穿并且反向漏电流明显增加,但光通量的变化不明显;当经过-5　000　V和-6　000　V的静电打击后,由于发生了热模式击穿,温度迅速升高,在结区形成熔融通道,使LED的光通量明显减小,甚至衰减到未打击时的一半;在经受-6　000　V的静电打击后,正向电压的减小和反向漏电流的增加更加明显,漏电现象更加明显,严重影响了器件的性能,最终使LED样品失效.