通过磁控溅射仪制备了Ge2　Sb2　Te5（　GST）和Ag10?6（　GST）89?4薄膜，利用X射线衍射（　XRD）、电阻-温度（　R-T）测试、透射电子显微学以及径向分布函数（RDF）等方法对比研究了GST和Ag10?6（GST）89?4的结晶过程和微观结构及其演化的差异。发现掺Ag的薄膜非晶态、晶态电阻均比GST更高，而且结晶过程只有非晶相到面心立方相（　fcc）的转变，没有出现GST的非晶到fcc再到六方相（　hcp）的过程，XRD分析进一步证实了这一结果。同时，透射电镜原位加热实验证实了在300℃时，Ag10?6（　GST）89?4仍然保持着fcc结构，而GST中已经出现了hcp相。通过统计230℃下时效处理的晶态薄膜的晶粒尺寸，发现Ag10?6（　GST）89?4的平均晶粒尺寸小于Ge2　Sb2　Te5薄膜的，这可能是造成其晶态电阻高于GST的主要原因。