新型的电场终止型绝缘栅双极晶体管(FS-IGBT)改善了传统穿通型(PT)　IGBT性能上的不足,但对于1　200　V以下器件需要超薄片加工.为打破加工技术的限制,用简易的厚片工艺实现薄片性能,可以在集电结附近设置载流子局域寿命控制层(LCLC)来改善器件性能.目前有两种方案:将LCLC区置于集电区内形成内透明集电极IGBT　(ITC-IGBT);或置于缓冲层内,形成缓冲层局域寿命控制IGBT.对这两种结构的600　V器件结合具体参数进行了仿真和比较.仿真结果表明,两种结构的器件可实现几近相同的折中特性,但当LCLC区位于缓冲层内时,需要更低的局域寿命,且更易发生通态特性的回跳现象,影响器件性能.因此将LCLC区置于集电区,即形成ITC-IGBT结构是一个更好的选择,为探索用厚片工艺制造高性能IGBT提供了必要的参考.