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硅通孔(TSV)技术作为实现三维(3D)封装的关键而被广泛关注.该文研究了在温度载荷作用下TSV转接板上铜和硅的应力状态,给出了通孔为完全填充铜和部分填充铜两种情况下的应力解析解,并讨论了孔距对转接板应力的影响.建立了TSV转接板的二维有限元模型,并用于验证解析解的适用性.结果表明:当TSV孔距达到孔直径的3倍以上时,解析解可以给出准确的转接板上铜和硅的应力结果；通过减薄镀铜层可以减小硅上的应力；转接板上应力与加载的温度变化成线性关系.
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工程力学
ISSN： 1000-4750
Year： 2013
Issue： 7
Volume： 30
Page： 262-269
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