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研究了离子辅助沉积(IBAD)电子束蒸发和传统电子束蒸发两种镀膜方式在Si(100)面基底所镀SiO2光学薄膜的特性.特别是在离子辅助沉积下,分析了不同工艺条件改变对SiO2光学薄膜的光学特性的影响.结果表明,无论表面形貌、折射率均匀性,还是湿度稳定性,离子辅助电子束蒸发都优于传统电子束蒸发的SiO2光学薄膜,在离子辅助沉积条件下,薄膜折射率在40～160℃范围随衬底温度的升高而提高,镀膜时真空度为1.5×10-3 Pa、沉积速率为5 nm/s、离子源驱动电压为285.4 V、离子源辅助气体分压比PAr∶Po=1∶1时,SiO2光学薄膜的光学特性最好.
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半导体光电
ISSN： 1001-5868
Year： 2013
Issue： 4
Volume： 34
Page： 607-611
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