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将GaN基蓝光芯片涂敷YAG荧光粉和透明硅胶制成额定功率为1W的白光发光二极管(LED),对其施加900mA的电流应力,在老化过程中测量白光LED的主要光学参数,考察其光学特性的退化情况.经过4 200 h的老化,样品光通量退化为初始值的15％～18％.样品的漏电流明显增大,表明芯片有源区缺陷密度提高,但光谱分布图中蓝光部分的辐射量未减少,仅观察到黄光部分辐射量的减少,推断出YAG荧光粉的转换效率降低.同时,从原理上分析了样品色温逐渐增大,显色指数基本不变的原因,对大功率白光LED在照明领域的应用有一定的借鉴意义.
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光谱学与光谱分析
ISSN： 1000-0593
Year： 2012
Issue： 10
Volume： 32
Page： 2611-2614
0 . 7 0 0
JCR@2022
ESI Discipline： CHEMISTRY;
JCR Journal Grade：4
CAS Journal Grade：4
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