Indexed by：
Abstract：
对InGaN/GaN多量子阱蓝光和绿光LED进行了室温900 mA电流下的电应力老化,发现蓝光LED老化到24h隧穿电流最小,绿光LED到6h隧穿电流最小；同时,两种LED的反向漏电也最小、光通量最大,随后绿光LED的反向漏电增加较快且光通量衰减较快.把热退火效应和电应力下缺陷的产生分别看成正负加速因子,绿光LED的负加速因子的增加速度比蓝光LED大,衰减较快.该结果对GaNLED的改进有一定参考价值.
Keyword：
Reprint Author's Address：
Email：
Source ：
发光学报
ISSN： 1000-7032
Year： 2012
Issue： 1
Page： 93-96
Cited Count：
SCOPUS Cited Count： 2
ESI Highly Cited Papers on the List： 0 Unfold All
WanFang Cited Count： 13
Chinese Cited Count：
30 Days PV： 0
Affiliated Colleges：
