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对大功率GaN基白光LED在85℃下进行了高温加速老化实验.经6500 h的老化,样品光通量退化幅度为28％ ～33％.样品的Ⅰ-V特性变化表明其串联电阻和反向漏电流不断增大,原因可归结为芯片欧姆接触的退化及芯片材料中缺陷密度的提高.样品的热特性变化显示出各结构层热阻均明显增大,这是由散热通道上各层材料的老化及焊料层出现大面积空洞引起的.分析表明,高温老化过程中芯片和封装材料的退化共同导致了LED的缓变失效.
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发光学报
ISSN： 1000-7032
Year： 2011
Issue： 10
Volume： 32
Page： 1046-1050
Cited Count：
SCOPUS Cited Count： 15
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WanFang Cited Count： 30
Chinese Cited Count：
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