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采用化学共沉淀法制备硅藻土表面包覆锑掺杂二氧化锡导电粉体,并对制备工艺条件进行详细研究；采用X射线衍射、扫描电镜、透射电镜时样品进行表征,采用四探针仪测试样品导电性能.结果表明:最佳的制备工艺条件为:溶液温度40℃、反应时间1h、pH为1、Sn4+与Sb3+的物质的量比为8:1、包覆率为38％、700℃下煅烧1h.硅藻土表面形成厚度为30 nm左右的金红石结构的均匀包覆层,样品体积电阻率最低可达18 Ω.cm.
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Source ：
中国粉体技术
ISSN： 1008-5548
Year： 2011
Issue： 4
Volume： 17
Page： 41-44,60
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