Indexed by：
Abstract：
用真空电子束蒸镀的方法制备氧化铟锡(indium tin oxide,ITO)薄膜,制作了以300 nm ITO为窗口层的新型AlGaInP红光LED.在氮气环境下,对LED样品进行了40 s快速热退火处理.随着退火温度增加,LED的光强先上升后下降,电压先下降后上升,并且两者都在435 ℃达到最优值.通过霍尔测试研究退火对ITO薄膜电学特性的影响,发现这是由于ITO在经过435℃退火后,电阻率最小,载流子浓度最大,因而减小了ITO的体电阻和P型欧姆接触电阻,降低了LED工作电压,同时增加了ITO做为电流扩展层的电流扩展效果,提高了LED光强.
Keyword：
Reprint Author's Address：
Email：
Source ：
光学学报
ISSN： 0253-2239
Year： 2010
Issue： 8
Volume： 30
Page： 2401-2405
Cited Count：
SCOPUS Cited Count： 4
ESI Highly Cited Papers on the List： 0 Unfold All
WanFang Cited Count： 8
Chinese Cited Count：
30 Days PV： 1
Affiliated Colleges：
