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何洪文 (何洪文.) | 徐广臣 (徐广臣.) | 郭福 (郭福.) (Scholars:郭福)

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CQVIP PKU CSCD

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研究了Cu/Sn-58Bi/Cu对接接头焊点在电流密度为5×103~1.2×104 A/cm2条件下钎料基体中阳极界面Bi层的形成机理.电迁移过程中,Bi元素为主要的扩散迁移元素,在电迁移力的作用下由阴极向阳极进行迁移.由于Bi原子的扩散迁移速度比Sn原子要快,促使Bi原子首先到达阳极界面.大量的Bi原子聚集在阳极界面时,形成了压应力,迫使Sn原子向阴极进行迁移,于是在阳极界面处形成了连续的Bi层.阴极处由于金属原子的离去,形成了拉应力,导致了空洞和裂纹在界面处的形成.Bi层的形态主要分为平坦的Bi层和带有凹槽的Bi层.Bi原子进行扩散迁移的通道有三种:Bi晶界、Sn晶界和Sn/Bi界面.随着电流密度和通电时间的增加,Bi层的厚度逐渐增加.电迁移力和焦耳热的产生成为Bi原子扩散迁移的主要驱动力.

Keyword:

Bi层 焦耳热 电迁移 电流密度

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  • [ 1 ] [何洪文]北京工业大学
  • [ 2 ] [徐广臣]北京工业大学
  • [ 3 ] [郭福]北京工业大学

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Source :

焊接学报

ISSN: 0253-360X

Year: 2010

Issue: 10

Volume: 31

Page: 35-38,42

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