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基于恒定电应力温度斜坡法(CETRM),对工作于直流状态和脉冲状态下的VDMOS功率器件进行可靠性研究,考察了器件阈值电压、跨导以及导通电阻的退化情况,得出在两种工作状态下均是跨导为失效敏感参数.在直流工作状态下,VDMOS失效激活能为0.57～0.68 eV,寿命为7.97×10~5～1.15×10~7 h;在脉冲工作状态下,VDMOS失效激活能为0.66～0.7 eV,寿命为4.3×10~5～4.6×10~6 h.对跨导的退化机理进行了分析.
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半导体技术
ISSN： 1003-353X
Year： 2010
Issue： 2
Volume： 35
Page： 172-175
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