Indexed by：
Abstract：
通过在YBCO前驱溶液中加入醋酸钆(Gd(CH3COO)3),使元素Gd部分取代Y,成功地制备了Y0.5Gd0.5BCO薄膜,该薄膜成分单一且具有很好的C轴取向.通过对Y0.5Gd0.5BCO薄膜和YBCO、GdBCO薄膜的超导件能比较发现,虽然Y0.5Gd0.5BCO薄膜的临界转变温度(Tc)(约为90.5 K)较YBCO和GdBCO薄膜有所下降,但是在65K、自场下,Y0.5Gd0.5BCO薄膜具有最高的临界电流密度(Jc)值,为4.87MA/cm2.且随着外加磁场的增加,Jc值提高的较多.在3T的磁场下,Y0.5Gd0.5BCO薄膜的Jc值分别是纯GdBCO和YBCO薄膜的1.8倍和5.1倍.此外,替代还有效提高了薄膜的磁通钉扎力.
Keyword：
Reprint Author's Address：
Email：
Source ：
无机材料学报
ISSN： 1000-324X
Year： 2010
Issue： 12
Volume： 25
Page： 1273-1276
1 . 7 0 0
JCR@2022
ESI Discipline： MATERIALS SCIENCE;
JCR Journal Grade：3
Cited Count：
SCOPUS Cited Count：
ESI Highly Cited Papers on the List： 0 Unfold All
WanFang Cited Count： 1
Chinese Cited Count：
30 Days PV： 1
Affiliated Colleges：
