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以InGaAs/GaAs 应变量子阱材料为例,介绍了考虑能带及波函数的混合效应的 6×6 Luttinger-Kohn 哈密顿量,提出用有限差分法求解含 Luttinger-Kohn 哈密顿量的有效质量方程,数值模拟得到导带和价带的能带结构,计算应变量子阱的跃迁矩阵元,进而用 Lorentzian 线形函数计算材料增益.讨论了量子阱阱宽、注入载流子浓度、温度等因素对量子阱材料增益的影响.计算结果表明,压应变使得量子阱有效带隙增大,降低了材料增益的透明电流密度,继而降低器件的阈值,改善器件的输出特性;增益峰值波长和发射波长之间合适的偏差,会使光抽运半导体激光器的阈值电流和工作电流随温度有较小的变化.
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光学学报
ISSN： 0253-2239
Year： 2010
Issue： 6
Volume： 30
Page： 1702-1708
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