Indexed by：
Abstract：
提出了一种横向微堆积大功率半导体激光器线阵的新结构,在相同的注入电流下提高了器件的输出光功率,有效缓解了大电流下的器件热烧毁和光学灾变性毁坏(COD).制备了横向微堆积三有源区半导体激光器线阵列,在50 A的工作电流下,其输出光功率可达到79.3 W,斜率效率可达1.81 W/A,是传统单有源区bar条的两倍多.
Keyword：
Reprint Author's Address：
Email：
Source ：
半导体光电
ISSN： 1001-5868
Year： 2010
Issue： 1
Volume： 31
Page： 20-22,100
Cited Count：
SCOPUS Cited Count：
ESI Highly Cited Papers on the List： 0 Unfold All
WanFang Cited Count： 1
Chinese Cited Count：
30 Days PV： 2
Affiliated Colleges：
