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全方位反射镜(ODR)AIGaInP发光二极管能够有效提高光提取效率.对全方位反射镜的设计及工艺进行优化:采用λ/4n厚的SiO2作为介质,光刻腐蚀导电孔,带胶保护,溅射AuZnAu,剥离后,再溅射300 am Au层,形成的ODR退火后在波长630 nm处的反射率为72.1%,而单次溅射AuZnAu的反射率退火后为63.2%.实验结果说明新工艺满足了欧姆接触的需要,反射率提高了8.8%.
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固体电子学研究与进展
ISSN： 1000-3819
Year： 2008
Issue： 4
Volume： 28
Page： 537-539
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