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提出了一种有效的方法-采用多发射极指分段结构来增强功率SiGe HBT的热稳定性.为了对分段结构进行精确的热分析,针对器件多层结构的特点,建立起适当的热模型,模型中充分考虑了各个部分的热阻.根据此热模型,使用有限元方法,对一个十指的分段结构功率SiGe HBT进行了热模拟.考虑到模拟的精确性及软件的功能限制,采用两步模拟法:衬底模拟和有源区模拟.通过模拟,得到了发射极指的三维温度分布.结果表明,分段结构功率HBT的最高结温和热阻都明显低于完整发射极指结构,新结构有效地提高了器件的热稳定性.
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微电子学
ISSN： 1004-3365
Year： 2008
Issue： 1
Volume： 38
Page： 81-84,119
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