激光剥离技术制备GaN/metal/Si的结构和光学特性研究 - Details

Author：

王婷 (王婷.) | 郭霞 (郭霞.) | 方圆 (方圆.) | 刘斌 (刘斌.) | 沈光地 (沈光地.)

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Abstract：

采用激光剥离技术结合金属熔融键合技术将生长在蓝宝石衬底上的GaN外延层转移到Si衬底上.GaN和Si表面分别用电子束蒸发Al/Ti/Au和Ti/Au/In后,在氮气环境下200℃加压实现GaN和Si的键合.采用脉冲宽度30　ns、波长248　nm的准分子脉冲激光透过蓝宝石衬底辐照GaN薄膜,在脉冲激光能量密度为380　mJ/cm2的条件下将蓝宝石衬底剥离下来,实现GaN薄膜向Si衬底的转移.样品截面显微镜和扫描电镜(SEM)照片说明经过键合工艺形成了致密的GaN/Al/Ti/Au/In/Au/Ti/Si结构.对转移衬底后的GaN薄膜进行原子力显微镜(AFM)和光致发光谱(PL)测试,结果表明金属熔融键合和激光剥离工艺没有对GaN薄膜的结构和光学特性带来明显的不利影响.

Keyword：

扫描电镜光致发光谱激光剥离原子力显微镜 GaN

Author Community：

[ 1 ] [王婷]北京理工大学
[ 2 ] [郭霞]北京工业大学
[ 3 ] [方圆]北京工业大学
[ 4 ] [刘斌]北京工业大学
[ 5 ] [沈光地]北京工业大学

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ISSN： 1001-9731

Year： 2007

Issue： 1

Volume： 38

Page： 88-90

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