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选用电阻率高达1 000 Ω·cm的硅衬底结构改善SiGe HBTs频率性能.介绍了器件的结构设计,根据衬底寄生参数模型分析了衬底阻抗影响器件高频性能的原理,计算出器件fT和fmax随衬底电阻率变化的规律.测试结果表明,高电阻率衬底器件比n+衬底器件的特征频率fT提高了28%,而最高振荡频率fmax提高了47.7%;表明高电阻率衬底基本消除了SiGe HBT中大多数容性寄生网络;通过对器件的最小噪声系数的计算与测试分析,发现高阻Si衬底的引入使器件的噪声系数在低频时几乎不变,在高频时轻微增加.
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固体电子学研究与进展
ISSN： 1000-3819
Year： 2007
Issue： 4
Volume： 27
Page： 503-508
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