Indexed by：
Abstract：
对Si/Si1-xGex HBT的低频噪声进行了模拟.频率、基极电流、集电极电流、发射极几何尺寸(面积、条长)、Ge组份x、温度等诸多因素都对低频噪声有影响.模拟结果表明,Si/SiGe HBT具有优异的低频噪声特性.
Keyword：
Reprint Author's Address：
Email：
Source ：
微电子学
ISSN： 1004-3365
Year： 2006
Issue： 1
Volume： 36
Page： 23-26
Cited Count：
SCOPUS Cited Count：
ESI Highly Cited Papers on the List： 0 Unfold All
WanFang Cited Count： 5
Chinese Cited Count：
30 Days PV： 1
Affiliated Colleges：
