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研究了AlGaN/GaN HEMT器件在室温、100℃、200℃和300℃下的工作性能.当栅长为1μm时,器件的最大漏源电流和非本征跨导在室温下的数值为1.02A/mm和230mS/mm.温度升高到100℃时几乎没有变化,温度升高到300℃时,最大漏源电流和跨导分别下降到0.69 A/mm和118.25mS/mm,下降的百分比分别为:67.6%和51.4%.
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微电子学与计算机
ISSN： 1000-7180
Year： 2004
Issue： 7
Volume： 21
Page： 171-172,176
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