Indexed by：
Abstract：
介绍了一种具有新型耐压层结构的IGBT--低功耗IGBT.新结构用三重扩散的方法在n-单晶片上引入了n+缓冲层.保留了NPT-IGBT中薄而轻掺杂的背p+层和高载流子寿命的本质优点,同时又具有PT-IGBT中n-/n+双层复合的薄耐压层(即薄基区)的优点.计算机仿真得出,新结构IGBT的关断损耗比传统的IGBT减小50%左右.针对LPL-IGBT的创新点--新耐压层结构,我们还进行了优化仿真.
Keyword：
Reprint Author's Address：
Email：
Source ：
半导体技术
ISSN： 1003-353X
Year： 2003
Issue： 7
Volume： 28
Page： 64-68
Cited Count：
WoS CC Cited Count： 0
SCOPUS Cited Count：
ESI Highly Cited Papers on the List： 0 Unfold All
WanFang Cited Count： 9
Chinese Cited Count：
30 Days PV： 0
Affiliated Colleges：
