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王玫 (王玫.) | 谭利文 (谭利文.) | 王波 (王波.) (Scholars:王波) | 邹云娟 (邹云娟.) | 严辉 (严辉.) | 姚振宇 (姚振宇.)

Indexed by:

CQVIP CSCD

Abstract:

采用分步偏压溅射法,在Si(100)衬底上制备了高质量的SiC薄膜. 傅里叶红外(FTIR)光谱测试表明,分步偏压法不仅有利于提高SiC薄膜的生长速率,同时也有利于SiC薄膜的成核生长. 通过原子力显微镜(AFM)观察到,单一偏压法制备的样品表面有许多的凹坑,而分步偏压法制备的样品表面则没有出现明显的凹坑. 因此,采用分步偏压溅射法不仅可以提高薄膜的生长速率,同时也可以减小对薄膜的离子刻蚀作用,改善薄膜的质量.

Keyword:

分步偏压 SiC RF溅射

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  • [ 6 ] [姚振宇]中国原子能科学研究院

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Source :

北京工业大学学报

ISSN: 0254-0037

Year: 2002

Issue: 1

Volume: 28

Page: 107-109

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