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通过优化设计SiGe/SiHBT的纵向参数，找到一种低温工艺方法，研制出了在液氮温度下电流增益达到26000的高增益异质结晶体管。
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Source ：
半导体技术
ISSN： 1003-353X
Year： 2001
Issue： 3
Volume： 26
Page： 51-52，55
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