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对单晶硅化学气相沉积(CVD)反应器在沉积过程中的流场进行了初步分析. 通过数值求解三维层流Navier-Stokes方程,研究了反应器内浮力效应所引起的流场对称性破坏. 结果表明,由于存在浮力效应,轴对称几何体中也会发生非轴对称流场分布,从而影响单晶硅的均匀生长.
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北京工业大学学报
ISSN： 0254-0037
Year： 2001
Issue： 4
Volume： 27
Page： 483-485
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