在ULSI中采用Cu互连线代替Al以增加电子器件的传输速度和提高器件的可靠性。Cu的激活能约为　1　2eV　,而Al的激活能约为　0　　7eV。Cu互连线寿命约为Al的　3～　5倍。Cu大马士革互连线的制备工艺为　:在硅衬底上热氧化生成的SiO2　上开出凹槽　,在凹槽中先后沉积阻挡层Ta和晶种层Cu　,然后由电镀的Cu层将凹槽填满。最后采用化学机械抛光将凹槽外多余的Cu研磨掉。Cu互连线的尺寸为　:2　0　0　μm长　,0　　5　μm厚　,宽度分别为　0　　3　5、0　　5、1至　3　μm不等。部分样品分别在　2　0　0℃　,3　0　0℃和　45　0℃下经过　3　0min退火。利用原子力显微镜...