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应用微腔腔量子电动力学和半导体量子阱物理，讨论了平面半导体量子阱微腔的自发发射，得到了腔结构、量子阱参量和注入载流子下的微腔自发发射谱和载流子寿命.计算发现由于微腔和量子阱分别对光子和载流子的限制，平面微腔可以增进自发发射，具有很强单方向性。
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Source ：
半导体学报
ISSN： 0253-4177
Year： 2000
Issue： 1
Volume： 21
Page： 33-37
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