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本文详细分析了下述问题：（１）在基区厚度减薄到几十纳米后，发射区时间常数、集电区时间常数对ＳｉＧｅＨＢＴｓ的高频特性的影响；（２）低掺杂浓度发射区层对发射区渡越时间的影响；（３）在发射结耗尽层中，除了固定电荷因素引起的电容外，发射结正常工作加正向偏压时，由于自由载流子注入引起的ＥＢ结电容．由以上物理分析可以得出器件的有关参数，并由器件的等效电路，对器件的高频特性进行分析和模拟，对影响器件高频特性的参数进行优化．
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Source ：
半导体学报
Year： 1999
Issue： 06
Page： 3-5
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