Abstract：
烧结纳米银是最有希望用于第三代半导体碳化硅(SiC)器件中芯片互联的焊料。它具有多孔的微结构,会对器件的传热性能产生一定的影响。本文以烧结纳米银为研究对象,通过数值模拟对不同孔隙率烧结纳米银的传热性能进行研究。
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Year： 2020
Language： Chinese
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