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曹雄斐 (曹雄斐.) | 杨维明 (杨维明.) | 李紫怡 (李紫怡.) | 谢绰 (谢绰.) | 张瑞 (张瑞.) | 卜力 (卜力.) | 邹德恕 (邹德恕.) | 陈建新 (陈建新.)

Abstract:

  用实验测量方法提取了Si/SiGe多发射极微波异质结晶体管(HBT)的直流GP模型SPICE参数,模拟了器件的输出特性曲线,分析了器件在小注入与大注入直流工作时的特性差异;用H参数法建立了器件的交流等效电路模型,模拟了器件的散射参数S21和电流增益截止频率fT,模拟结果与实际测量的结果相吻合,在此基础上比较了HBT与BJT器件等效电路模型的差异。

Keyword:

锗硅异质结晶体管 参数提取 电路模型

Author Community:

  • [ 1 ] [曹雄斐]湖北大学物理学与电子技术学院
  • [ 2 ] [杨维明]湖北大学物理学与电子技术学院
  • [ 3 ] [李紫怡]湖北大学物理学与电子技术学院
  • [ 4 ] [谢绰]湖北大学物理学与电子技术学院
  • [ 5 ] [张瑞]湖北大学物理学与电子技术学院
  • [ 6 ] [卜力]湖北大学物理学与电子技术学院
  • [ 7 ] [邹德恕]北京工业大学光电子技术实验室
  • [ 8 ] [陈建新]北京工业大学光电子技术实验室

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Year: 2013

Page: 1219-1222

Language: Chinese

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