Abstract：
＜正＞采用电子背散射技术(EBSD),分析了 GaAs-GaN 晶片直接键合界面的质量。比较 GaAs-GaN 晶片键合界面中心区域和边缘区域的 IQ 和晶格转动角。测试结果表明,品格畸变、错配角及位错密度在中心区域小于边缘区域,即中心区域的热应力小于边缘区域的热应力,键合质量优于边缘的质量。
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Year： 2007
Language： Chinese
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