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＜正＞1．引言半导体结构和器件在制造和使用过程中引入的热应力、晶格失配应力等可诱发晶体缺陷形核、改变能隙,降低器件的发光效率和灵敏度。由于激光器、发光二级管等光电子器件的外延层厚度仅为几纳米～几十纳米,采用 X 射线衍射(XRD)和同步辐射等技术虽具有高的应变敏感性,但难以得到微区应力和应变信息。会聚束电子衍射(CBED)有很高的空间分辨率和较高的
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Year： 2007
Language： Chinese
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