Abstract：
＜正＞ 本文采用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)的方法,在单晶SiC衬底上分别制备出非晶SiC薄膜,及不同晶粒尺寸的纳米立方相SiC(β-SiC)薄膜。并通过控制参数,在较低的衬底温度下成功获得不同尺寸的纳米β-SiC薄膜。在本工作中,着重研究了主要工艺参数对纳米β-SiC薄膜生长特性的影响。实验结果表明:选择适当的衬底温度,使沉积粒子在衬底表面即充分扩散,又不形成大
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Year： 2003
Language： Chinese
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